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Si1033X
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
25
V GS = 1.8 V
120
V GS = 0 V
20
15
V GS = 2.5 V
100
80
60
f = 1 MHz
C iss
10
40
5
0
V GS = 4.5 V
20
0
C rss
C oss
0
200
400 600
800
1000
0
4 8 12 16
20
5
4
3
I D - Drain Current (mA)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 10 V
I D = 150 mA
1.6
1.4
1.2
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 4.5 V
I D = 150 mA
V GS = 1.8 V
2
1
0
1.0
0.8
0.6
I D = 125 mA
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
- 50
- 25
0 25 50 75 100
125
1000
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
50
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
T J = 125 °C
40
100
T J = 25 °C
T J = - 55 °C
30
20
I D = 150 mA
10
10
I D = 125 mA
1
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2 3 4 5
6
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Surge-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71428
S10-2544-Rev. C, 08-Nov-10
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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